도시바, 3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 라인업에 1200V 제품 추가… 산업용 전력 장비의 고효율화 기여
가와사키, 일본--(뉴스와이어)--도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)(도시바(Toshiba))이 광전지 인버터, EV 충전소 및 스위칭 전원 공급 장치와 같은 산업 장비용 3세대 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky barrier diodes, SBD) 라인업에 1200V 제품의 ‘TRSxxx120Hx 시리즈’를 추가했다. 도시바는 오늘 TO-247-2L 패키지 5개와 TO-247 패키지 5개 등 시리즈 중 10개의 신제품의 출하를 시작했다.
새로운 TRSxxx120Hx 시리즈는 도시바의 3세대 650V SiC SBD의 개선된 접합 장벽 쇼트키(junction-barrier Schottky, JBS) 구조[1]를 사용하는 1200V 제품이다. 접합 장벽에 새로운 금속을 사용함으로써 이 신제품은 1.27V(일반)의 업계 최고[2]의 낮은 순방향 전압, 낮은 총 용량성 충전 및 낮은 역전류를 달성할 수 있다. 이는 더 높은 전력 응용 분야에서 장비 전력 손실을 크게 줄인다.
도시바는 계속해서 SiC 전력 장치 라인업을 지속적으로 확장하고 산업용 전력 장비의 전력 손실을 줄이는 효율성 향상에 중점을 둘 것이다.
참고:
[1] 개선된 JBS 구조: 고전류에서 순방향 전압을 감소시키는 머지드 PiN 쇼트키(Merged PiN Schottky) 구조를 JBS 구조에 통합하고, 쇼트키 인터페이스에서 전기장을 낮추고 전류 누설을 줄이는 구조.
[2] 1200V SiC SBD 중. 2024년 9월 현재 Toshiba 설문조사.
응용처
· 광전지 인버터
· EV 충전소
· 산업용 장비용 스위칭 전원 공급 장치, UPS
기능
· 3세대 1200 V SiC SBD
· 업계 최고[2] 낮은 순방향 전압: VF＝1.27V(일반)(IF=IF(DC))
· 낮은 총 용량성 충전: TRS20H120H의 경우 QC=109nC(일반)(VR=800V, f=1MHz)
· 낮은 역전류: TRS20H120H의 경우 IR＝2.0μA(일반)(VR=1200V)
주요 사양
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TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB
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TRS20N120HB
TRS30N120HB
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도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션 소개
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